等離子刻蝕機的原理是在真空狀態(tài)下，利用射頻輻射使得氧、氬、氮、四氟化碳等氣體生成具有高反應活性的離子與器件等反應形成揮發(fā)性化合物，然后由真空系統(tǒng)獎這些揮發(fā)性物質(zhì)清除出去。

　　等離子刻蝕機檢驗操作及判斷

　　1.確認萬用表工作正常，量程置于200mV。

　　2.冷探針連接電壓表的正電極，熱探針與電壓表的負極相連。

　　3.用冷、熱探針接觸硅片一個邊沿不相連的兩個點，電壓表顯示這兩點間的電壓為正值，說明導電類型為P型，刻蝕合格。相同的方法檢測另外三個邊沿的導電類型是否為P型。

　　4.如果經(jīng)過檢驗，任何一個邊沿沒有刻蝕合格，則這一批硅片需要重新裝片，進行刻蝕。

　　等離子刻蝕機處理模式：

　　直接模式——基片可以直接放置在電極托架或是底座托架上，以獲得zui大的平面刻蝕效果。

　　定向模式——需要非等向性刻蝕（anisotropicetching）的基片可以放置在特制的平面托架上。

　　下游模式——基片可以放置在不帶電托架上，以便取得微小的等離子體效果。

　　定制模式——當平面刻蝕配置不過理想時，特制的電極配置可以提供。

　　以上便是今天關于等離子刻蝕機的檢驗操作及處理模式都在這兒了的全部分享了，希望對大家今后使用本設備能有幫助。