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    當(dāng)前位置:首頁  >  技術(shù)文章

    • 2022

      10-25

      Cargille光學(xué)凝膠有幾個非常理想的性能。它們是可穿透的,對近紫外線輻射,可見光和近紅外光。據(jù)我們所知,沒有其他液體,凝膠或潤滑脂具有更好的透光率。每種都有具有方泛的溫度穩(wěn)定性。凍結(jié)點低于-67°C,且沸點超過400°C。這意味著有更穩(wěn)定的折射率,比其他液體,凝膠或油脂耦合劑。Cargille光學(xué)凝膠的兩個主要用途:1)作為一個光學(xué)耦合光纖和光學(xué)部件。凝膠通過減少或消除其內(nèi)部反射從而增加光的透射率。這類似于很多玻璃和光學(xué)塑料,依靠折射系數(shù)和色散來實現(xiàn),并且它們能與熔融石英...

    • 2022

      9-21

      EDC-650顯影機(jī)是將曬制好的印版通過半自動和全自動的程序?qū)@影、沖洗、涂膠、烘干等工序一次性部分或全部完成的印刷處理設(shè)備。是一種既可用于精密勻膠操作,又可用于半導(dǎo)體顯影和清洗的臺面式設(shè)備,它可以實現(xiàn)價值百萬美元設(shè)備的上才可能達(dá)到穩(wěn)定性和均勻性。EDC-650顯影機(jī)的保養(yǎng):1常清潔并在需要的情況下進(jìn)行更換(其壓力應(yīng)該定期加以檢查)。如果需要,用水和新鮮的顯影液清洗輥子。2、根據(jù)制造商的建議經(jīng)常檢查和更換過濾器?!斑^濾器都是一樣的"是一個錯誤的概念,對于每臺機(jī)器都應(yīng)該使用推薦...

    • 2022

      8-23

      3850壓實密度儀鋰離子動力電池在制作過程中,壓實密度對電池性能有較大的影響。通過實驗證明,壓實密度與片比容量,效率,內(nèi)阻,以及電池循環(huán)性能有密切的關(guān)系。找出*壓實密度對電池設(shè)計很重要。一般來說,壓實密度越大,電池的容量就能做的越高,所以壓實密度也被看做材料能量密度的參考指標(biāo)之一。壓實密度不光和顆粒的大小、密度有關(guān)系,還和粒子的級配有關(guān)系,壓實密度大的一般都有很好的粒子正態(tài)分布??梢哉J(rèn)為,工藝條件一定的條件下,壓實密度越大,電池的容量越高。合適的正極壓實密度可以增大電池的放電...

    • 2022

      7-27

      目前,越來越多的原子力顯微鏡被引入到各項研究中,但是相信很多科研人員會發(fā)現(xiàn),做了幾次樣品后,針尖或者懸臂梁總會有東西粘附上去了,圖像質(zhì)量和原來的形貌出入太大,沒有多少細(xì)節(jié),甚至出現(xiàn)雙針尖現(xiàn)象,這個時候,被污染的針尖已經(jīng)嚴(yán)重影響到實驗。而AFM探針針尖應(yīng)該怎樣清洗才合適呢,這個問題一直困擾著科研人員。粒子探針一般采用的是紫外臭氧清洗技術(shù)來清洗有機(jī)物,紫外臭氧技術(shù)*是光子輸出,對探針表面不會造成任何損傷,是一種溫和的清洗方法。PSD和PSDP系列紫外臭氧系統(tǒng)通過產(chǎn)生185nm和2...

    • 2022

      7-27

      納米制造使用光刻工藝(193nm,EUV,EBL等)涉及廣泛的材料、技術(shù)和相關(guān)的處理步驟,以便生產(chǎn)明確的納米結(jié)構(gòu)。光刻膠的光刻對比曲線是工藝優(yōu)化的參數(shù)之一。光致抗蝕劑的對比度曲線是顯影后剩余的抗蝕劑膜厚度,作為對數(shù)繪制的曝光劑量的函數(shù)[1]。測量方法:在本篇應(yīng)用案例中,使用EBPG-5000+電子束工具以100千電子伏的速度在不同的曝光劑量下對負(fù)性抗蝕劑進(jìn)行曝光,生成100×100μm正方形的陣列,每個正方形對應(yīng)不同的曝光劑量。在顯影步驟之后,使用FR-μ探針顯微光譜儀工具在...

    • 2022

      7-27

      鈣鈦礦廣泛用于太陽能電池的開發(fā)。由于這些類型的太陽能電池具有良好的光伏性能,因此對它們進(jìn)行了系統(tǒng)的研究。鈣鈦礦薄膜的厚度和形態(tài)是影響太陽能電池性能的重要因素。人們發(fā)現(xiàn),特別當(dāng)鈣鈦礦的厚度小于400nm時,鈣鈦礦太陽能電池的效率很大程度上取決于薄膜厚度;而當(dāng)鈣鈦礦的厚度大于400nm時,效率則很大程度上取決于鈣鈦礦層的薄膜形態(tài)。在本篇方案說明中,我們使用FR-pRoVIS/NIR測量鈣鈦礦薄膜的厚度。FR-pRoVIS/NIR測量方法:用于表征的樣品是兩種不同厚度的CH3NH3...

    • 2022

      7-27

      簡介硅基底的傳感器因其高性能、低成本和小尺寸而廣泛應(yīng)用于不同的MEMS微機(jī)電系統(tǒng)。懸浮在圖案上的硅膜或基于SOI的傳感器上的活性硅層的厚度對于控制最終平臺的性能至關(guān)重要[1]。在這里,我們已經(jīng)在一個MEMS微機(jī)電系統(tǒng)壓力傳感器上測量了硅薄膜厚度,使用的是孔徑為250μm的FR-μProbe,該工具安裝在一個徠卡分模光學(xué)顯微鏡上。使用10倍物鏡進(jìn)行測量,該物鏡與選定的孔徑大小一起對應(yīng)于25μm的光斑大小(測量區(qū)域)。使用內(nèi)部光源將FR-μProbe安裝在光學(xué)顯微鏡上測量方法獲得...

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